Компания Samsung объявила о начале производства новой сверхскоростной и энергоэффективной оперативной памяти объёмом 4 Гб, построенной по 20-нм техпроцессу и предназначенной для следующего поколения смартфонов и планшетов.

По словам компании, новая разработка даёт 30% прирост в производительности и обеспечивает на 20% меньшие затраты энергии по сравнению с текущими модулями, выполненными по 30-нм процессу. Существует большая вероятность того, что осенний Samsung Galaxy Note 3 станет первым смартфоном с таким количеством оперативной памяти, выполненной по новой технологии (по аналогии с Galaxy S 3 и Note 2 с 1 Гб и 2 Гб памяти соответственно). Не исключено, что планшет Samsung Nexus 11 тоже получит аналогичный компонент.
Источник