Флеш-память имеет множество преимуществ, к примеру, высокую скорость чтения и записи, отсутствие движущихся частей или устойчивость к механическим воздействиям, но, вместе с тем, обладает и рядом недостатков. Когда дело касается смартфонов или любых других компактных гаджетов, проблемой становится площадь на плате, которая физически требуется чипу с большим объёмом памяти. В случае с обычной NAND памятью, ячейки располагаются на плоскости, что не позволяет разместить большой объём информации на маленьком чипе, причём современные технологии уже почти исчерпали возможность уплотнения таких ячеек.

Samsung задалась целью решить эту проблему ещё давно, и вот, спустя почти 10 лет разработок и исследований в этой области, компания объявила о начале производства чипов, выполненных по новой технологии, которая позволила решить эту проблему. Технология получила название 3D NAND или V-NAND (вертикальный NAND), а её суть заключается в том, что ячейки, хранящие заряд, располагаются в трёхмерных структурах, что стало возможно благодаря применению новой архитектуры Charge Trap (которая кроме вертикального расположения ячеек подразумевает, к примеру, новый принцип сохранения электрического заряда).

Южнокорейская компания предлагает V-NAND чипы, каждый из которых может хранить 16 ГБ информации, что является лучшим показателем в мире на сегодняшний день среди аналогичных по прочим характеристикам NAND чипов (в будущем планируется выпуск чипов с большим количеством горизонтальных слоёв, а, значит, они смогут вместить ещё больше памяти). Скорее всего, Samsung собирается использовать новую флеш-память в своих будущих флагманских смартфонах, но также, скорее всего, будет продавать чипы и другим компаниям, к примеру, Apple. Пока неизвестно, какое устройство первым получит память V-NAND, но, мы почти уверены, что Samsung не преминет упомянуть об этом на презентации этого гаджета, каким бы он в итоге не оказался.
Источник