Не далее как в конце апреля компания Samsung выпустила пресс-релиз, в котором объявила о начале производства LPDDR3 чипов оперативной памяти, выполненных по 20-нм техпроцессу. Несмотря на то, что такая ОЗУ действительно быстрее и потребляет меньше энергии, объём памяти на одном чипе остался прежним - 0,5 ГБ (гигабайта). При возможностях современных коммуникаторов, производители комбинируют максимум 4 таких чипа на системной плате устройства, что даёт объём ОЗУ 2 ГБ, но вы ведь не думали, что такое положение дел сохранится надолго?

Компания SK Hynix официально объявила о том, что собирается выпустить такие же LPDDR3 чипы на 20-нм техпроцессе, но объёмом уже 8 Гб или, в более привычных единицах измерения 1 ГБ. Нетрудно подсчитать, что при использовании 4 таких модулей на одной плате, можно достичь объёма памяти в 4 ГБ. И это действительно так: производитель обещает, что первые топовые смартфоны с 4 ГБ оперативной памяти появятся уже в конце этого года.

Новые чипы будут способны передавать данные на скорости 2133 мегабит в секунду на один контакт, что в целом позволяет передать за 1 секунду 7,5 гигабайт в одноканальном режиме и 17 гигабайт в двухканальном. При этом работает ОЗУ на сверхнизком напряжении - 1,2 вольта, так что опасаться за время автономной работы точно не стоит.

И всё же, интересно, как скоро мы увидим смартфоны с 8 ГБ оперативной памяти? А в том, что, рано или поздно, так и будет мы уверены почти полностью, ведь наращивание гигагерц и гигабайт - лишь вопрос времени.
Источник