У южнокорейского гиганта Samsung на 2013 год очень большие планы. Не собираясь останавливаться на инвестициях в завод по производству полупроводниковых систем в Остине, компания готовится приступить к производству чипов, в которых используются 14-нм транзисторы FinFET. Новый дизайн Samsung сравнивают с наработками Intel и ее транзисторами Tri-Gate, которые используются в чипах Ivy Bridge.

По данным Samsung, 14-нм однокристальные системы принесут новый уровень производительности и множество улучшений. Южнокорейский гигант также сообщает, что процент продукции низкого качества, в связи с переходом на новый техпроцесс, будет незначительным.

В разработке дизайна 14-нм чипов нового поколения Samsung помогали компании ARM и Synopsis. Совместными усилиями им удалось подойти к процессору ARM Cortex-A7 со сверхнизким энергопотреблением, который поддерживает конфигурации big.LITTLE, и исполнен по нормам 14-нм техпроцесса.

Компания Samsung также предоставила набор средств PDK (Process Design Kit), необходимых для создания проектов, рассчитанных на 14-нм техпроцесс. Скорее всего, в 2013 году можно будет увидеть 14-нм однокристальные системы Exynos с поддержкой big.LITTLE в основе мобильных устройств.
Источник